次世代の省エネに向けた化合物半導体技術

ロームのブースでは、一般の製品展示に加え、エコロジーを意識したGaNやSiCを用いた次世代デバイスの展示が行われている。

GaN MOSFETの前工程後のウェハ

SiCパワーモジュールゲートドライバ回路

GaNは主に青色LEDや青紫色半導体レーザなどの発光デバイスに用いられてきた化合物半導体といえば御理解いただけるかと思うが、発光デバイスではなく、これでMOSFETを形成したものが展示されていた。

SiCのSBD(Schottoky Barrier Diode)やパワーモジュールなども展示されていたが、SiCは耐圧1000V(1500V)以上の領域、GaNは600V以下の領域での利用が想定されているという。GaNの抵抗値はSi比で1/10～1/15とのことなので、それだけ消費電力の低減も期待できることとなる。