12月9日、韓国サムスン・エレクトロニクス(以下、サムスン)が2.5インチSATA SSDの新製品「Samsung SSD 850 EVO」を発表した。Samsung SSD 850 EVOは、2013年7月18日に発表された「Samsung SSD 840 EVO」の後継となる。2014年7月1日発表のハイエンドSSD「Samsung SSD 850 PRO」と同じく、3D V-NANDと呼ばれる3次元構造のNANDフラッシュを採用していることが特徴だ。
ただし、Samsung SSD 850 PROでは、1つのセルに2bitのデータを記録する2bit MLCの3D V-NANDを採用していたが、Samsung SSD 850 EVOでは、1つのセルに3bitのデータを記録する3bit MLC(TLCとも呼ばれる)の3D V-NANDを搭載している。Samsung SSD 850 PROが、アーリーアダプタやエンスージアストを対象にした製品であるのに対し、今回登場したSamsung SSD 850 EVOはメインストリーム向けの製品となる。
Samsung SSD 840 EVOに比べて、ランダムライト性能が大きく向上
Samsung SSD 850 EVOは、2.5インチフォームファクタのSATA 3.0(6Gbps)対応製品であり、厚さは6.8mmとスリムだ。製品のデザインは、前モデルのSamsung SSD 840 EVOとよく似ているが、ボディカラーがグレーからブラックに変わったほか、Samsungロゴや「Solid State Drive」という文字の色も変更されている。
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左がSamsung SSD 850 EVO。右がSamsung SSD 840 EVO |
容量は、120GB、250GB、500GB、1TBの4モデルが用意されている。なお、Samsung SSD 840 EVOでは750GBモデルも用意されていたが、Samsung SSD 850 EVOでは750GBモデルはなくなった。
サムスンのSSDは、自社開発のコントローラを採用していることも魅力であるが、Samsung SSD 850 EVOに搭載されているコントローラは、容量によって異なる。120GB/250G/500GBモデルは新型の「Samsung MGX」、1TBモデルはSamsung SSD 840 EVOやSamsung SSD 850 PROと同じ「Samsung MEX」が搭載されている。Samsung MGXは、Samsung MEXをベースに改良が加えられたもので、2015年に登場が予定されている第3世代の3D V-NAND(レイヤーの数が48になると予想される)をサポートしているが、基本的な性能についてはSamsung MEXと変わらない。キャッシュメモリは、120GBモデルが256MB、250GB/500GBモデルが512MB、1TBモデルが1GBと大容量だ。
Samsung SSD 850 EVOのシーケンシャルリード速度は全モデルで最大540MB/s、シーケンシャルライト速度は全モデルで最大520MB/sと非常に高速だ。Samsung SSD 840 EVOのシーケンシャルリード速度とシーケンシャルライト速度も、それぞれ最大540MB/s、最大520MB/sで、スペック上は変わっていない。他社の製品だと、小容量モデルでは速度が低下するものも多いが、Samsung SSD 850 EVOは、低価格な120GBモデルでも大容量モデルとほぼ同じ性能を得られることが魅力だ。
| Samsung SSD 850 EVO | Samsung SSD 840 EVO | |
|---|---|---|
| シーケンシャルリード | 最大540MB/s | 最大540MB/s |
| シーケンシャルライト | 最大520MB/s | 最大520MB/s |
さらに、Samsung SSD 850 EVOはランダムアクセス性能も高い。前モデルのSamsung SSD 840 EVOでは、4KBランダム(QD1)のリードは全モデルで10,000IOPS、4KBランダム(QD1)のライトは全モデルで33,000IOPSだったのに対し、Samsung SSD 850 EVOでは、4KBランダム(QD1)のリードは全モデルで10,000IOPSと変わらないが、4KBランダム(QD1)のライトは全モデルで40,000IOPSと2割以上も向上している。
| Samsung SSD 850 EVO | Samsung SSD 840 EVO | |
|---|---|---|
| 4KBランダム(QD1)リード | 10,000IOPS | 10,000IOPS |
| 4KBランダム(QD1)ライト | 40,000IOPS | 33,000IOPS |
4Kランダム(QD32)のリードは、120GBモデルが94,000IOPS、250GBモデルが97,000IOPS、500GBモデルと1TBモデルが98,000IOPSで、Samsung SSD 840 EVOと同じだ。4KBランダム(QD32)のライトは、120GBモデルと250GBモデルが88,000IOPS、500GBモデルと1TBモデルが90,000IOPSとなる。500GBモデルと1TBモデルについてはSamsung SSD 840 EVOと変わっていないが、120GBモデルと250GBモデルのIOPSは、Samsung SSD 840 EVOに比べて大きく向上している(Samsung SSD 840 EVOでは120GBモデルが35,000IOPS、250GBモデルが66,000IOPS)。
| 4KBランダム(QD32)リード | Samsung SSD 850 EVO | Samsung SSD 840 EVO |
|---|---|---|
| 120GBモデル | 94,000IOPS | 94,000IOPS |
| 250GBモデル | 97,000IOPS | 97,000IOPS |
| 500GBモデル | 98,000IOPS | 98,000IOPS |
| 1TBモデル | 98,000IOPS | 98,000IOPS |
| 4KBランダム(QD32)ライト | Samsung SSD 850 EVO | Samsung SSD 840 EVO |
|---|---|---|
| 120GBモデル | 88,000IOPS | 35,000IOPS |
| 250GBモデル | 88,000IOPS | 66,000IOPS |
| 500GBモデル | 90,000IOPS | 90,000IOPS |
| 1TBモデル | 90,000IOPS | 90,000IOPS |
このようにSamsung SSD 850 EVOは、Samsung SSD 840 EVOに比べて、ランダムライト性能が向上しており、特に120GBモデルや250GBモデルではその向上幅が大きい。
保証期間が3年から5年に延長
Samsung SSD 850 EVOは、性能だけでなく、耐久性と信頼性も向上している。書き換え可能容量(TBW)は、Samsung SSD 840 EVOの44TBから、Samsung SSD 840 EVOでは、120GBモデルと250GBモデルが75TBに、500GBモデルと1TBモデルでは150TBへと、大きく増加している。MLC NANDフラッシュ採用の「Samsung SSD 840 PRO」のTBWが73TBであったことと比べても、「3D V-NAND」がいかに高い耐久性を誇るものなのか、うかがい知ることができる。120GBモデルと250GBモデルの場合、1日40GBの書き込みなら、5年以上持つ計算だ(500GBモデルと1TBモデルでは、1日80GBの書き込みで5年以上持つ)。
そのため、Samsung SSD 840 EVOの製品保証は3年間であったが、Samsung SSD 850 EVOでは、5年保証を実現している。他社のメインストリーム向けSSDのほとんどが3年保証なので、Samsung SSD 850 EVOの保証期間はトップクラスであり、ヘビーユーザーでも安心して利用できる。さらに、省電力機能も強化されており、Samsung 840 EVOでは対応していなかったDEVSLPモードをサポートした。スタンバイ時の消費電力(DEVSLP Power)は、120GB/250GB/500GBモデルで2mW、1TBモデルで4mWと、非常に低い。
