IEDM 2009 - IEDM実行委員会が今年のハイライトを紹介

電子デバイスの国際学会IEDM 2009が開幕

電子デバイス技術に関する世界最大規模の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting) 2009」が12月7日に米国メリーランド州ボルチモアで始まった。7日の正午にはIEDMの実行委員会が、報道関係者向けにハイライト(見どころ)を説明するプレスブリーフィングを開催した。

IEDMでは報道関係者を含め、講演中の撮影と録音が禁止されている。プレスブリーフィングでは限定的に、一部の講演に関する写真と図面が紹介された。説明役を務めたのはパブリシティチェアのVeena Misra氏である。

プレスブリーフィングではまず、ハイライトの一覧を説明。CMOS技術、CMOS向けのナノ構造、化合物半導体、メモリ技術、エマージング技術、バイオエレクトロニクスなどのテーマで見どころとなる講演がある。

最初に紹介した注目講演は、デジタル回路やアナログ回路、メモリ回路、高周波回路などを載せられるシステムLSI(SoC:System on a Chip)向けのCMOSプラットフォーム技術である。Intelが開発した(講演番号28.1)。32nmの高誘電率膜/金属ゲート(High-k/metal-gate:HKMG)技術である。Intelは45nmのHKMG技術を開発済みで、32nm世代は「第2世代のHKMG技術」と呼んでいる。

このプラットフォームでは3種類のトランジスタ技術を駆使する。高性能版と標準版のトランジスタ、低消費電力版のトランジスタ、入出力回路用のトランジスタを用意した。配線層数は11層と多い。高周波回路用の受動素子やアナログ回路用の受動素子、高周波雑音対策素子、埋め込みSRAMなどを開発した。埋め込みSRAMセルには高密度版と低電圧版がある。高密度版のセル面積は0.148μm²、低電圧版のセル面積は0.171μm²。