「次世代半導体」のニュースまとめ

More than Mooreに代表されるプロセスの微細化だけに頼らない半導体の高性能化を実現する次世代の半導体技術に関する情報をお届けします。

• テクノロジー

  東大、酸窒化タンタル(TaON)が高性能な半導体材料であることを発見

  2013/12/27 15:12
• テクノロジー

  九大、正三角形状の磁性体で広い周波数をチューニングできる磁気共鳴を発見

  2013/12/25 10:32
• テクノロジー

  理研、3次元半導体物質におけるベリー位相の検出に成功

  2013/12/25 10:23
• テクノロジー

  TASCなど、金属/半導体型の単層CNTを効率的・高純度に分離する技術を開発

  2013/12/20 18:29
• テクノロジー

  名大、導電性高分子の微小結晶内で発現する金属状態を解明

  2013/12/19 18:09
• テクノロジー

  NIMS、酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御することに成功

  2013/12/17 17:03
• テクノロジー

  NIMS、強固な3次元張り子構造を持つグラフェン構造体を創り出すことに成功

  2013/12/17 16:03
• テクノロジー

  弘前大など、量産加工性に優れた鉄基の磁歪材料を開発

  2013/12/16 17:48
• テクノロジー

  千葉大、量子サイズ効果を利用し有機分子と金属電極を繋ぐ"踏み台"を発見

  2013/12/16 10:11
• テクノロジー

  理研、常温有機強誘電体の分極反転を阻害する要因を発見

  2013/12/13 18:06
• テクノロジー

  産総研、多結晶Geでp/n両極性のトランジスタ動作に成功 - CMOS回路も視野に

  2013/12/13 16:59
• テクノロジー

  シリコン貫通電極への応用に期待! - 産総研、新たなCNT配線作製技術を開発

  2013/12/13 11:07
• テクノロジー

  理研、スピン流を高感度に検出する酸化物材料を発見

  2013/12/12 16:28
• テクノロジー

  産総研、20nm幅の多層グラフェン配線を作製し、低抵抗、高信頼性を実証

  2013/12/12 13:08
• テクノロジー

  IEDM 2013 - 東北大、線幅20nmの磁壁移動メモリ素子の動作を実証

  2013/12/12 09:49
• テクノロジー

  IEDM 2013 - 東北大、直径11nmサイズの磁気トンネル接合素子を作製

  2013/12/11 18:41
• テクノロジー

  IEDM 2013 - 東工大、高集積LSIなど向けに40Vで動く小型冷却装置を開発

  2013/12/11 11:11
• テクノロジー

  IEDM 2013 - 産総研、新構造で2倍性能が向上したInGaAsトランジスタを開発

  2013/12/11 11:08
• テクノロジー

  IEDM 2013 - 阪大、原子レベルから計算可能な半導体シミュレータを開発

  2013/12/11 11:03
• テクノロジー

  IEDM 2013 - 東大、0.3V動作のトンネル電流を用いたトランジスタを開発

  2013/12/11 10:59