DRAMは、2021年から2027年までCAGR(年平均成長率)9%で成長し、2027年に1585億ドルとなるほか、NANDもCAGR6%で成長し960億ドルに達するとの予測を半導体市場動向調査会社である仏Yole Développementが発表した。メモリ全体ではCAGR8%の成長予測としているが、これらの統計には、組み込みメモリを含めていない。
メモリ市場は、米中貿易戦争やコロナ禍の只中の2020年も前年比15%、2021年も同32%と成長を続けており、2022年に入っても好調が継続中で、DRAMは同25%増の1180億ドル、NANDも同24%増の830億ドルといずれも過去最高を更新するとの予想がなされている。ちなみに半導体メモリには、DRAM、NAND以外にも、NORフラッシュメモリ、不揮発性SRAM/FRAM、EEPROM、新型不揮発性メモリなどがあるものの、いずれの市場規模も小さく、今後もその傾向は変わらないとYoleは見ている。
2022年は、東芝(当時)の舛岡富士夫氏によるフラッシュメモリ発明から35周年を迎える年であるが、その1987年以来、NANDのビット密度とビットあたりのコストは絶え間なく進歩してきた。
現在、そうしたスケーリングの維持に向け、YMTCのXtackingアプローチなどのCBA(CMOS-bonded Array)アーキテクチャをはじめとして、新しい技術の研究が進められており、すべてのメモリメーカーがハイブリッドボンディング装置を使用した研究開発を行っているという。中でもキオクシアやSamsungなどの主要サプライヤは、NANDのロードマップにウェハ-ウェハボンディングを記載しているとする。