DDR3 Status - Others

いつものShow Case会場だと、Technology Boothにメモリ関連ベンダーがいくつか集まっている筈だが、今回は参加したメモリ関連ベンダーがSamsung/Hynix/Qimondaのみ。しかもSamsung/HynixがそれぞれSponsorな関係で、メモリ関連のTechnology Boothが存在しなかった。それでも一応Intel自身が"DDR3 for Mobile PCs"というブースを設けたのだが、この有様である(Photo13)。仕方なく、何も無いブースを撮影していたら担当者が飛んできて「ちょっと待て、モノはある」とか言いながらこれが出てきた(Photo14)。「ここはMobile DDR3のブースだよね? なんでSO-DIMM無いの?」と聞いたら、「SO-DIMMはSamsungのブースで展示している」という返事が。

Photo13:ちなみにこれは初日午後の様子。前日のPreview段階ならともかく、正式にオープンした後なのに、これである。

Photo14:たったの14枚。殆どの製品はPC3-8500 CL7 1GBだったが、OCZはPC3-12800(DDR3-1600)のCL7と銘打ってあった。CL7というあたり、PC3-8500のオーバークロック版と思われる。

そのSamsungのブースは積極的にDDR3の展示を行っていた(Photo15)。1GbitのDDR3-1333のチップサンプル(Photo16)ほか、1GB DDR3-1333 Unbuffered DIMM(Photo17)、2GB DDR3-1333 Unbuffered DIMM(Photo18)、2GB DDR3-1066 Registered DIMM(Photo19)、1GB DDR-1066 Unbuffered SO-DIMM(Photo20)などを展示していた。また、デスクトップ用マザーボードに、通常のUnbuffered DIMMとアダプタ経由のSO-DIMMを1枚づつ装着しての動作デモも行われていた(Photo21)が、確かデモは「1333MHz動作」をアピールしてた筈なのに、装着されているのがPC3-6400(Photo22)というあたりが不思議であった。また、別の場所では1600MHz駆動のデモをしていたという話はこちらでも触れたが、この際に利用されていたメモリはMicronのものだそうだ(Photo23)。

Photo15:Samsungにおける展示内容。一番積極的、というよりもSamsung以外は殆どDDR3の展示を行っていなかった、というほうが実情に近い。

Photo16:ただ表面に何も刻印がないので、DDR3-1333と言われても「はぁそうですか」としか言い様がないのだが。

Photo17:DDR3-1333 1Gbitチップ×8で1GB容量。ガーバー表面のルーティングパターンや、ガーバー右端の終端抵抗と思しきパターンが独特である。

Photo18:こちらもDDR3-1333ながら両面実装で2GBとなっている。右端の終端抵抗らしきもののパターンが異なっているのが判る。

Photo19:まだFB-DIMM2のためのAMB2もなければValidation Planも無い(ひょっとするとSpecificationも無いかもしれない)という状況なので、当然RegisteredというのはFB-DIMMではない、「通常の」Registered DIMM。もっとも今はIntel関係者がRegisteredと言う場合、それはFB-DIMMのAMBの事を指しているので、ちょっとややこしい。

Photo20:2Rank×16bitチップの構成。片面実装だと512MB、両面実装で1GBとなるわけだ。

Photo21:この裏に、通常のUnbuffered DIMMも1枚刺さり、Dual Channel構成で動作していた。要するに普通のDIMMと同じように動作する、というデモである。

Photo22:しかし、どうみても800MHz動作が定格の筈なのだが…

Photo23:もっとも外して見れた訳ではないので、言われたことを信じるしかないのだが。