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連載

次世代技術となる高密度2.5D実装や次世代3Dトランジスタ積層を目指す研究

(左)シリコンインターポーザバンプおよびパッケージを介したトップダイへのインターポーザ接続を示す断面図、(右)DDRのシステムレベルインピーダンスプロファイルへの高密度MIMキャパシタンスへの影響 (出所:VLSIシンポジウム委員会。以下すべて同様)

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