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インメモリコンピューティングに最適なメモリは？ - VLSIシンポジウム2020

透過型電子顕微鏡により観察された33nm 4重界面MTJ素子。300mmウェハ設備を用いて開発された物理気相成長法、反応性ドライエッチング、および損傷制御された集積化プロセス技術により作製

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