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“日の丸半導体構想”再び……

2nm以降に向けた次世代半導体の研究開発プロジェクトのスケジュール。2nmプロセスであるため、従来のプレーナー型でも、現在の先端プロセスで用いられているFinFET型でもない、さらなる先端プロセス向けのGAA(Gate All Around)型のトランジスタを形成させる必要があり、まずはその技術を手に入れるところから必要となるが、そのためにはASMLからEUV露光装置を購入する必要がある (出所:経産省発表資料)