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超高電圧SiCデバイスとGaN HEMTの高効率冷却技術

図9:DC電力とチャネルの平均温度の比較。対照サンプルは、特定のDC電力に対して最高の平均チャネル温度を示した。上面のみのインテグレーションの場合、ダイヤモンドの体積が大きくなるため、ダイヤモンドの厚さが増加すると、冷却の改善が見られる。オールラウンドインテグレーションでは、500nmの薄いダイヤモンドを使用しても、チャネル温度は最低であり、厚さ2.2μmのダイヤモンドを使用した上面のみのサンプルと非常に類似しており、チャネルで発生した熱が効果的に伝達されていることが確認された

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