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連載

超高電圧SiCデバイスとGaN HEMTの高効率冷却技術

図8:GaN HEMT断面構造の模式図。(a)ダイヤモンドなしのデバイス、(b)上面のみのダイヤモンドを積層したデバイス、(c)周辺をすべてダイヤモンドで覆ったデバイス。このようにオールラウンドダイヤモンド積層では、アクティブデバイス領域、MESA側壁、およびSiC基板にダイヤモンドがダイヤモンドで覆われている

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