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連載

ムーアの法則を継続させる3D実装とEUVリソグラフィ技術

次世代高NA(NA=0.55)のEUVリソグラフィ装置の光学系模式図。左端の光源から出たEUV光は、照明光学系を経て中央上のマスクに集光し、マスクで反射されたパターンは、投影光学系を経て右下の300mmウェハに転写される (原図はASMLの光学系を担当しているCarl Zeiss)

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