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シーケンシャルCFET実現のためのプロセス - 低温スマートカット層転写

図6 低温スマートカット層転写アプローチにおける電子有効電界移動度と反転電荷の比較。最適化されたプロセス条件とレファレンス(概念実証)プロセス条件を比較した。このグラフは、選択B(紫色)の移動度の向上を示している。これは追加の低温熱処理工程を示している(VLSIシンポジウム2022で発表)

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