お知らせ: 酷似サイトにご注意ください

連載

CFET実現に向けた2つの異なるプロセス - モノリシックとシーケンシャル

図4 ナノシート(NS)、フォークシート(FS)、およびCFET(モノリシックおよびシーケンシャル)それぞれのゲート断面模式図。基本的なシーケンシャルCFET(v1)は、モノリシックCFETより幅が広く高さが高くなっている。最適化されたフロー(セルフアラインゲートマージ(v2)およびゲートキャップなし(v3)を含む)により、シーケンシャルCFETは面積消費の点でモノリシックCFETに近づいている(2022 VLSI Symposiumで発表)

13

記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

アクセスランキング

ランキングをもっと見る

もっと見る

このチャンネルについて

最新のテクノロジーやサイエンスに関わる情報やトレンド、ホットなニュースを毎日更新。IT/IoTや人工知能、半導体、航空、宇宙など、生活に紐づいた身近な技術から、ダークマターや素粒子といった、あっと驚く最新科学の話題まで、詳細な説明付きで紹介します。