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東大など、AlN系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明

(左)AlN系SBDの光学顕微鏡像。円形パターンがショットキー電極。(右)デバイス構造の断面図。組成傾斜n型AlGaN層/n型AlN層は、有機金属気相成長法により炭化ケイ素(SiC)基板上に成長。反応性イオンエッチングにより、組成傾斜n型AlGaN層の一部を除去することでn型AlN層を露出させ、その上にショットキー電極が形成されている(出所:東大プレスリリースPDF)

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