(a)従来型と、今回のイオンセンサシステムの模式図。今回の研究では、有機半導体単結晶を用いた参照用トランジスタが基準電位を定義した。(b)代表的なトランジスタ特性。ドレイン電流を計測すると、半導体の電位を推定可能。(c)イオン濃度測定原理の模式図。センサ用トランジスタでは液絡にイオン選択膜が用いられている。2つのトランジスタの差動計測では、イオン選択膜が生じる電位差を評価することが可能。(d)トランジスタ差動計測から求めたカリウムイオン選択膜が生じた電位差の濃度依存性。ネルンストの式に近い応答が観測され、従来型の参照電極を排除した薄膜センサにおける高精度な計測が実証された(出所:JSTプレスリリースPDF)
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