(a)測定に用いられたデバイスの電子顕微鏡像。集束イオンビームを使用して、」大きな結晶から切り出されたGd2PdSi3(マゼンタ)。マイクロメートルスケールの平板で構成され、電気的測定のための電極(黄色)に接続されている。(b)トポロジカルホール効果の概略図。伝導電子がデバイス内のスキルミオン格子を横切ると、同磁気渦の創発磁場によって偏向されるため、伝導電子は上端に蓄積される。この伝導電子による電荷蓄積がホール電圧として測定される。スキルミオンが伝導電子と共に動き始めると、創発電場が誘導され、トポロジカルホール効果電圧が低下する。左の矢印は、これら2つの創発電磁力のバランスを示す。ve:電子速度、bem:創発磁場、vSk:スキルミオン速度(出所:理研Webサイト)
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