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分子研など、半導体光触媒上で水素生成反応に寄与する活性な電子種を解明

(a)白金担持Ga₂O₃光触媒試料におけるメタン水蒸気改質反応条件下でのオペランド赤外吸収スペクトル。(b)観測された3種類の電子由来の吸収信号(金属助触媒の内部に存在する自由電子、浅いトラップ準位の電子(I_ST)、深いトラップ準位の電子の内、I_STのみが水素生成速度(R_H2)とよく相関することが明らかにされた。(c・d)光触媒水分解反応においても、同様の傾向が観測された (出所:分子研Webサイト)

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