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北大など、熱伝導率制御幅を従来比1.5倍にした「熱トランジスタ」を開発

(a)熱トランジスタの構造。固体電解質であるYSZ単結晶基板(厚さ:0.5mm)の上に、厚さ10nmの10％GdドープCeO₂(以下、GDC)薄膜、厚さ2nmのSrCoO_2.5薄膜、厚さ80nmのLaNiO₃薄膜を積層し、積層薄膜表面とYSZ基板裏面に厚さ50nmのPt薄膜を成膜した構造。(b)熱トランジスタのオン/オフ切替えの模式図。熱トランジスタを5mm×5mmのサイズに切出し、Pt膜を介して280℃に加熱したヒーター上に置き、上部Ptと下部Ptの間に電流(10μA)を所定時間流すことにより、電気化学的に還元・酸化が行われる(出所:北大プレスリリースPDF)

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