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東大など、半導体基板への極微細レーザー穴開け加工技術を開発

ABFに開けられた微細穴を上から見た電子顕微鏡画像。(左)ガラス基板の上に一部銅の配線が配置され、その上に3μm厚のABFが作成された。上からDUVレーザーを用いて5μm間隔で直径3μmの穴が開けられた。(右)現在の実装技術よりも1桁程度小さい穴を開けることに成功した(出所:共同プレスリリースPDF)

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