東大がシリコン膜からの熱放射の倍増に成功、半導体の排熱問題の解決へ

(A)作製されたデバイスの概念図。厚さ10μmのシリコンを、薄いシリコン酸化膜で挟んだ3層構造が対向している。それぞれに電圧を印可できるよう金属線が形成されている。片方に電流を流してヒーターとして温度を上昇させ、発生した表面フォノンポラリトンが、もう片方の構造に向かって放射される。その放射エネルギーを受け取ることで上昇する温度を、センサとして機能する金属線で計測が行われた。(B)作製されたデバイスの電子顕微鏡写真。3層構造間は10.7μmのギャップで隔てられている(出所:東大生研Webサイト)