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東大、交換バイアスによる次世代MRAM用反強磁性体の磁気秩序の制御に成功

Mn₃Snにおける100Kでの交換バイアスの観測。磁場中冷却後のMn₃Sn/ピニング層MnN二層膜の100Kにおけるホール抵抗率の面直磁場依存性。磁場中冷却は400Kから+9Tの面直の冷却磁場を印加して行われた。ホール抵抗率のヒステリシスのシフト量は室温よりも顕著になっており、0.4T程度のシフトが観測された(出所:東大Webサイト)

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