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東大、交換バイアスによる次世代MRAM用反強磁性体の磁気秩序の制御に成功

Mn₃Snにおける室温での交換バイアスの観測。磁場中冷却後のMn₃Sn/ピニング層MnN二層膜の室温におけるホール抵抗率の面直磁場依存性。磁場中冷却は、400K(約127℃)から±9Tの面直方向の冷却磁場を印加して行われている。黒の曲線が、磁場中冷却を行わない時のホール効果の曲線。正方向の冷却磁場を印加して磁場中冷却を行うと、負の磁場方向のシフトが観測された(赤の曲線)。また、冷却磁場の符号を変えることで、シフト方向の反転も観測された(緑の曲線)(出所:東大Webサイト)

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