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東大、交換バイアスによる次世代MRAM用反強磁性体の磁気秩序の制御に成功

交換バイアスの概要。(a)強磁性体の外部磁場に対する応答を示すヒステリシス曲線は、通常その中心が磁場ゼロの位置と一致している。しかしピニング層を重ねて磁場を印加しながら冷却すると、冷却中の磁気状態が安定化されるようにピニング層との磁気的な結合が働く。それにより、強磁性層の応答を示すヒステリシス曲線が磁場方向にシフトする(これが交換バイアス)。(b)現行MRAMの強磁性体をMn₃Snに置き換えた場合に、どのような効果が生じるのかは不明だった(出所:東大Webサイト)

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