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東大、交換バイアスによる次世代MRAM用反強磁性体の磁気秩序の制御に成功

(a)強磁性体を用いた現行MTJ素子の構成。下から磁気状態により情報の書き込みを行う記録層、読み出しの際に記録層との磁気状態の比較に用いられる参照層、参照層の磁気状態を交換バイアスにより固定するピニング層に分けられる。(b)強磁性体がMn₃Snに置き換えられた全反強磁性デバイス。書き込みと読み出し現象は実証済で、今回の研究では交換バイアスによる磁気状態の固定効果の実証に成功した(出所:東大Webサイト)

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