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東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功

作製されたIGZO-TFTの構造と接触特性。(a)ボトムコンタクト型TFTの構造。電極にはパラジウムが用いられ、アルゴンで希釈された5%水素ガス雰囲気化でアニールを行うことで、デバイス外部から埋もれた界面へと水素が輸送された。(b)伝送長法によって測定された接触抵抗(実線)と、実効チャネル長の偏差(点線)の水素処理依存性(出所:東工大プレスリリースPDF)

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