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(a)1個の金ナノディスク(GND)をパラボラ型光共振器(POR)上に配置した際の電場振幅の増強度の共振器半径(r)依存性。(b)1個のGNDをPOR上に配置した際の電場振幅の増強度の共振器厚み(t)依存性。(a・b)破線はNiO厚み240nmの平面型共振器の増強度。(c)1個のGNDをPOR(赤線)と平面型光共振器(黒線)上に配置した際の電場振幅の増強度の入射光角度(θ)依存性。(d)1個のGNDをPOR上に配置した際の電場振幅増強の空間分布(入射光角度60°)。(e)1個のGNDを平面型光共振器上に配置した際の電場振幅増強の空間分布(入射光角度60°)(出所:東北大プレスリリースPDF)

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