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二次元半導体(MoS2)と絶縁体(hBN)のUVテープ転写。(a)MoS2の三角形グレインと全面膜の転写後の顕微鏡像。(b) 転写された半導体MoS2のトランジスタ特性。(c)テープを3枚用いて行ったグラフェンとhBNの多重積層の模式図。(d)実際の転写膜の画像(出所:九大プレスリリースPDF)
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企業のR&D部門が開発した新技術の紹介や、宇宙、生命工学、物理学などのマニアックな科学系読み物を中心に構成。話題の科学者へのインタビューなども。