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今回の転写法と従来法の比較。(a・b)UVテープと高分子を用いてシリコン基板に転写された単層グラフェンの光学顕微鏡像(上)と原子間力顕微鏡像(下)。Raの値は表面の粗さが示されている。(c)それぞれのグラフェンを用いて作製されたトランジスタのキャリア移動度の比較(出所:九大プレスリリースPDF)

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