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NIMSがn型導電性チャネルダイヤモンドMOSFETの開発に成功

n型ダイヤモンドMOSFET 構造図とその電気特性および温度依存性。(A)MOSFETの概略図、(B)ダイヤモンドMOSFETの光学顕微像、(C)室温150℃、および300℃でのトランジスタ特性(黒線から黄線((i)では紫と重なっている)に向かってゲート電圧(Vg)増大)(出所:NIMSプレスリリースPDF)

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