1個のQDを用いたSETの試料構造。(a)間隔がnmサイズの金属電極(ナノギャップ金属電極)と電極間に分散したPbSQDの電子顕微鏡像。QDの直径は5nm程度。左下の線の長さが40nmを表す。(b)PbSQD1個を用いたSETの試料構造と測定回路を示す模式図。ソース・ドレイン電極間に電圧をかけ、量子ドットを介した電流を測定する。ゲート電極に電圧をかけることで量子ドットを流れる電流を制御できるトランジスタ構造となっている(出所:共同プレスリリースPDF)
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インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。