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東大、テラヘルツ電磁波と電子の超強結合状態の高感度電気的検出を実現

試料構造とスプリットリング共振器の光学特性。(a)作製された半導体試料の電極構造。上部にある黄色い正方形の電極はテラヘルツ帯域のスプリットリング共振器として機能する。共振器の下側にある3本のサイドゲート電極のうち、左の電極とスプリットリング共振器に負電圧を印加し、2次電子層においてそれらの間隙に量子PCが形成される。(b)共鳴励起されたスプリットリング共振器周辺の電場分布のシミュレーション結果。共振器のギャップ、および量子PCの形成される領域など、赤や白などの明るい色で示された領域において電場が増強されている(出所:JSTプレスリリースPDF)

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