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静岡大など、困難だったシリコントランジスタ上での電子正孔共存系を実現

今回開発された手法(nチャネル型トランジスタを用いた場合)。まずゲートに負電圧をセットし、界面に正孔を蓄積させる(左)。次に、正方向の電圧に高速で切り替える(右)。ここでは、ゲートを負電圧からゼロボルトへ高速に切り替えた場合の例が示されている。正孔はゲート電圧の急な変化に追従できず界面に留まり、電子はその正孔に引き付けられるようにソース-ドレイン端子から流入し、電子正孔共存系が形成される(出所:静岡大プレスリリースPDF)

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