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東大、強誘電体が「絶縁破壊」を起こす瞬間を可視化することに成功

絶縁破壊後の強誘電体キャパシタのLaser-PEEM像(左)と走査型電子顕微鏡像(右)の比較。走査型電子顕微鏡の検出深さは1から10nm程度であり、30nmの上部電極越しに伝導パスを観察することが困難である。一方、Laser-PEEM像では伝導パスが可視化できることが明瞭に示された。この比較から、Laser-PEEMは走査型電子顕微鏡よりも深くに埋もれた層を観察可能であることがわかる(出所:東大Webサイト)

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