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現状のGaNデバイス製造手法は大口径化が期待できるが縦型化が困難なGaN on Siか、縦型化はできるが大口径化が難しいGaN on GaNであり、GaNパワーデバイスのさらなる高性能化に向けて大口径化が可能かつ縦型化も可能な技術の開発が求められていた (資料提供:OKI/信越化学)

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