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量研機構、SiC半導体製量子センサによる温度測定で120℃までの計測を達成

今回開発された手法(■)と従来手法(○)で、SiC半導体の温度測定が行われた結果。横軸は量子操作に用いたラジオ波の周波数、破線はローレンツ関数でのフィッティング結果。今回開発された手法により、信号強度が10倍以上強くなっていることが確認できる。(出所:量研機構 Webサイト)

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