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量研機構、SiC半導体製量子センサによる温度測定で120℃までの計測を達成

(a)SiCダイオード中への量子センサ形成のイメージ。(b)SiCダイオード中に2次元的に形成されたV_Siアレイ。輝点の1つ1つに多数のV_Siが含まれており、それぞれの輝点を量子センサとして利用する。(c)SiCダイオードに実際に電流を流ながら、緑丸で囲った量子センサ(SiC-V_Si)で測定した内部の温度。電流密度が増えると温度が上昇する。(Appl. Phys. Lett. 118, 044001(2021))(出所:量研機構 Webサイト)

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