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早大など、半導体表面を原子レベルで平坦化可能な技術につながる現象を発見

ステップアンバンチング。Ar/4%H₂雰囲気中で、(a)1600℃で10分加熱、(b)その後1400℃で10分保持、(c)20分保持、(d)60分保持した試料の表面形態。(e・f)(a)から(d)の変化の模式図(出所:早大Webサイト)

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