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東大、ハーフメタルを用いた「スピントランジスタ」を開発

今回の研究の概要。(a)今回作製された2端子素子の構造。(b)従来の研究で使われてきた一般的な半導体と強磁性金属を組み合わせた素子構造の例。(c)デバイスの作製に用いられたLa_0.67Sr_0.33MnO₃薄膜の断面走査透過型電子顕微鏡による格子像。すべて単結晶で構成されている。(出所:東大Webサイト)

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