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東大、ハーフメタルを用いた「スピントランジスタ」を開発

今回作製された単結晶酸化物スピントランジスタ素子におけるスピンの流れの模式図。強磁性の酸化物金属電極と半導体領域がすべて格子整合した単結晶の酸化物で構成されており、スピンの散乱や反射を大幅に低減することに成功したという。(出所:東大Webサイト)

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