都立大など、2種類のダイカルコゲナイドの同一面内での接合構造を作製

(a)多層WSe₂およびCVDにより、WSe₂結晶の端から多層のMoS₂結晶を成長させた構造のモデル。(b)多層WSe₂/MoS₂接合近傍における、断面の走査透過電子顕微鏡像。明るいコントラストを持つ左側がWSe₂、暗いコントラストを持つ右側がMoS₂に対応。(c)多層Nb_xMo_1-xS₂/MoS₂接合における作製されたFETの模式図。(d)電子が取りうることが可能なエネルギー(伝導帯端と価電子帯端)の相対関係を示す図。EFは電子のフェルミ準位。左と右は、ゲート電圧の印可がない場合とある場合にそれぞれ相当。(e)異なるゲート電圧を印加した時の多層Nb_xMo_1-xS₂/MoS₂接合の電流・電圧特性。測定温度は15K。※原論文「Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics」の図が引用・改変されたもの(出所:東大プレスリリースPDF)