2nm以降の高性能ロジック半導体向けトランジスタ材料、産総研などが開発

(上)低コンタクト抵抗を有するMoS₂トランジスタ。左がトランジスタの模式図、右がSb₂Te₃/MoS₂界面を拡大したTEM画像。(下)Sb₂Te₃/MoS₂界面の断面電子顕微鏡(TEM)写真および対応する原子配列 (原論文「Sb₂Te₃/MoS₂ van der Waals Junctions with High Thermal Stability and Low Contact Resistance」の図を引用・改変したものを使用。クリエイティブ・コモンズ・ライセンス(表示4.0国際)) (出所:産総研Webサイト)