マイナビニュースマイナビ
お知らせ
酷似サイトにご注意ください

(a)プラズマ生成前のSnターゲットの影絵像。(b)プラズマの電子密度(上側)と電子温度(下側)のプロファイル。レーザーは図の左から右に照射されている。レーザー軸上はEUV放射に最適な温度30~40eV(1eVは約1万度)であり、密度は周辺部の方が高い中空様構造が確認された (出所:北大プレスリリースPDF)

23
記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

このカテゴリーについて

インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。