東大など、低分子を用いたアンバイポーラ型半導体材料を開発

(左)今回の研究で開発したd/π共役系分子の構造式と分子積層様式の模式図。(右)その結晶性薄膜を半導体層として使用したFETの模式図。側鎖上の炭素数を1から2または3に伸長させたところ、積層様式が1次元からヘリングボーン型へと変化した。得られた2次元的な電子構造は、FETの安定的なキャリア伝導を可能とした (出所:東大物性研Webサイト)

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