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東大など、次世代半導体製造に向けた6μm以下のレーザー穴あけ加工技術を開発

今回の成果概要。(上)ABFに対し、次世代ニーズに対応する6μm以下という微細穴あけが実現された。(下)今回の技術は、スペクトロニクスの深紫外短パルスレーザーを、三菱電機が次世代レーザープロセス用の開発機に組み込み、東大のレーザー加工プロセスのCPS化技術を活用することで実現した (出所:プレスリリースPDF)

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