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関学など、SiCウェハの製造で生じる加工歪み層の検査技術を開発

SiCウェハ製造プロセス概要。(1)SiCバルク結晶を成長させインゴットに成形。(2)インゴットをスライスし、SiCウェハの素地を作製。(3)スライスされたSiCウェハ素地を研削・研磨、(4)CMP(Chemical Mechanical Polish:化学機械研磨)で鏡面加工し、SiCウェハが完成。(5)SiCウェハ上に高品位な結晶薄膜を形成(CVDエピタキシャル成長) (出所:関学Webサイト)

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