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SK hynixが238層3D NANDを開発、2023年からの量産を予定

低層の周辺回路を高層のメモリセルアレイの隣に配置した従来構造(左)とメモリセルアレイの下に周辺回路を配置して専有面積を小さくした構造(右)。SK hynixはこの構造を4Dと呼んでいる (出所:SK hynix)

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