東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功

部分反転する素子と100％反転する素子における微細化の影響。(a)部分反転する素子では微細化した際に、完全に動作しない素子が生じてしまう。(b)100％反転する素子では、微細化した際でも各素子が安定に動作。橙の矢印は各素子において反転する拡張磁気八極子偏極を示している。今回の研究では、Mn₃Snにおいて、素子全域にわたり拡張磁気八極子が作る垂直2値状態が電気的に制御できることが実証された (出所:プレスリリースPDF)