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東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功

タングステン(W)/Mn₃Sn素子での電気的書き込み実験の概要図。(a)W/Mn₃Sn素子におけるホール電圧の磁場依存性。(b)W/Mn₃Sn素子におけるホール電圧の書き込み電流依存性。(c)電流により拡張磁気八極子偏極を反転させる実験の概要図。(d)W/Mn₃Sn素子における反転実験時の磁気光学カー効果顕微鏡像 (出所:プレスリリースPDF)

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