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(a)Nb/V/Co/V/Ta多層膜が用いられた試料の実験配置における概念図。空間反転対称性が破れているのは多層膜積層方向であり、印加電流および外部磁場とそれぞれ互いに直交している。(b)4端子電気抵抗測定に用いられたNb/V/Co/V/Ta多層膜素子の光学顕微鏡図 (出所:京大プレスリリースPDF)

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